Автозаводская
Модули памяти
№: 971657
№: 875253
16 Гб. DDR4, SODIMM, 3200 МГц, PC4 25600. Латентность: CL22. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 260. Тип чипа: 1G*8. Двухранговая (dual rank).
№: 885048
DDR4, 8 ГБx1 шт,. 3600 МГц, PC28800, 16-20-20.
№: 885037
DDR4, 16 ГБx2 шт., 2666 МГц, PC21300, 13-15-15.
№: 885031
DDR4, 16 ГБx2 шт., 2666 МГц, PC21300, 16-18-18.
№: 883812
№: 907074
16 Гб, DIMM, DDR5, 4800 МГц. Тайминги: 40.40.40.76. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: 2G*8. Количество контактов модуля: 288. Одноранговая (Single Rank). Небуферизованная. nonECC.
№: 873140
№: 872509
16 Гб (1 х 16 Гб), DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 18.22.22.42. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.
№: 872506
16 Гб (2 х 8 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Тайминги: 20.26.26.46. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.
№: 853103
Тип модуля: SO-DIMM. Тип памяти: DDR4. Объем: 32 Гб. Стандарт: PC4-25600. Рабочая частота: 3200 МГц. Латентность: CL22 Тип чипа: 2G*8. Напряжение питания: 1,2 В.
№: 847153
4 Гб. DDR3, DIMM, 1333 МГц. Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 240. Тип чипа: 256*8. Двухранговая (dual rank). Небуферизованная. nonECC.
№: 847152
16 Гб. DDR4, DIMM, 2400 МГц (PC4-19200). Латентность: CL17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 288. Небуферизованная. nonECC.
№: 863497
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 8. Частота 3600MHz. Тайминги (CAS Latency) CL17. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Single Rank (1R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
№: 863492
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 64GB (2 планки по 32GB). Частота 3600MHz. Тайминги (CAS Latency) CL18. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Dual Rank (2R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
№: 863478
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 32GB. Частота 2666MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Dual Rank (2R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V.
№: 863475
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3600 МГц. Пропускная способность 28800 Мб/с. CAS Latency (CL) 18; RAS to CAS Delay (tRCD) 22; Row Precharge Delay (tRP) 22. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.