Модули памяти
Найдено: 15 товаров
Сортировать:
№: 1025226
Тип памяти: DDR4. Форм фактор: DIMM. Количество контактов: 288. Тактовая частота: 3600 МГц. Пропускная способность: 28800 Мб/с. Объем: 2 модуля по 32 Гб. Поддержка XMP. CAS Latency (CL): 18, RAS to CAS Delay (tRCD): 22, Row Precharge Delay (tRP): 22.
№: 1009434
32 Гб (2х16 Гб), DDR5, DIMM. Частота 7600 МГц (PC5 60800). Латентность CL36. Тайминги 36.48.48.84. Напряжение питания 1.45 В. Подсветка RGB. Поддержка XMP3.0. Функция OnDie ECC. Встроенный термодатчик. Алюминиевый радиатор. Размер модуля 6х135х44 мм
№: 1011175
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор SO-DIMM. Объём памяти 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 МБ/с. Латентность CL 22. Тайминги 22-22-22-52. Напряжение питания 1.2 В.
№: 1011177
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор SO-DIMM. Объём памяти 16 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 МБ/с. Латентность CL 22. Тайминги 22-22-22-52. Напряжение питания 1.2 В.
№: 1022086
DDR3, 2 ГБx1 шт, 1600 МГц.
№: 1022087
DDR4, 8 ГБx1 шт, 2666 МГц, PC21300, тайминги: 19.
№: 1030142
DDR4, 8 ГБx2 шт., 3200 МГц, 16-18-18.
№: 1030144
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 32 Гб. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 16. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Поддержка XMP 2.0. Радиатор.
№: 621840
Увеличьте производительность и отклик системы в любых ресурсоёмких приложениях с модулем памяти Patriot. Данный модуль предназначен для систем c поддержкой DDR4 памяти. Рабочий объем 8 Гигабайт, тактовая частота составляет 2666 МГц, а пропускная спос...
№: 542474
Patriot Memory DDR4 SO-DIMM - представляет собой модуль оперативной памяти DDR4. Данная модель может похвастаться отличной пропускной способностью 19200 мб/сек при тактовой частоте 2400 МГц. Такие параметры позволят с комфортом работать в ресурсоемки...
№: 753079
DDR4. Объём 32 Гб. 288-pin. Частота 3600. Латентность CL18. Форм-фактор DIMM. Оснащается радиатором для эффективного охлаждения. Тип поставки Ret.
№: 699310
4 Гб. DIMM, DDR3L, 1600 МГц (PC3 12800). Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 240. Тип чипа: 512*8. Одноранговая.
№: 699449
4 Гб. SODIMM, DDR3L, 1600 МГц (PC3 12800). Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 204. Тип чипа: 256*8.
№: 863478
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 32GB. Частота 2666MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Dual Rank (2R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V.
№: 948206