Автозаводская
Модули памяти
№: 872508
16 Гб (2 х 8 Гб), DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 18.22.22.42. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.
№: 884047
8 Гб, DDR-4, 25600 Мб/с, 3200 МГц, PC25600, тайминги: 20-22-22, 1,2 В.
№: 887633
№: 887634
№: 1002259
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6600 МГц. Пропускная способность: 52800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 34. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Activate to Precharge Delay (tRAS): 105. XMP 3.0. ...
№: 831839
Объем 4 Гб, частота функционирования до 1333 МГц. Стандарт памяти PC3-10600 (DDR3 1333 МГц). Пропускная способность памяти 10600 Мб/сек. Латентность CL9. Чип 512M x 8-bit. 8 чипов. Двухсторонний модуль памяти. Напряжение питания 1.5В (LV DDR3).
№: 905065
32 Гб, DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22.22.22. Латентность: CL22. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 288. Двухранговая (Dual rank). Небуферизованная. nonECC.
№: 931397
Тип памяти DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Суммарный объем 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Наличие радиатора. Напряжение питания 1.35 В. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 20, Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to
№: 954361
№: 863469
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 16GB (2 планки по 8GB). Частота 2666MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Single Rank (1R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V.
№: 863476
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3733 МГц. Пропускная способность 29800 Мб/с. CAS Latency (CL) 19; RAS to CAS Delay (tRCD) 23; Row Precharge Delay (tRP) 23. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.
№: 863482
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. Напряжение питания 1.35 В.
№: 863492
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 64GB (2 планки по 32GB). Частота 3600MHz. Тайминги (CAS Latency) CL18. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Dual Rank (2R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
№: 956620
№: 1009428
32 Гб (2х16 Гб), DDR5, DIMM. Частота 6400 МГц (PC5 51200). Латентность CL32. Тайминги 32.40.40.84. Напряжение питания 1.4 В. Поддержка XMP 3.0. Функция OnDie ECC. Встроенный термодатчик. Алюминиевый радиатор. Размер модуля 7х137х43 мм, вес 52 г.
№: 1009435
48 Гб (2х24 Гб), DDR5, DIMM. Частота 8000 МГц (PC5 64000). Латентность CL38. Тайминги 38.48.48.84. Напряжение питания 1.45 В. Подсветка RGB. Поддержка XMP3.0. Функция OnDie ECC. Встроенный термодатчик. Алюминиевый радиатор. Размер модуля 6х135х44 мм
№: 1014973
32 Гб (2х16 Гб), DDR5, DIMM. Поддержка двухканального режима. Профиль разгона EXPO. Частота 5600 МГц. Тайминги 36.36.36.89. Напряжение питания 1.2 В. Количество контактов модуля 288. Высота модуля 33 мм.