Модули памяти
№: 187104
Kingston PC3-12800 SO-DIMM DDR3 1600MHz CL11 - 4Gb KVR16S11S8/4 - это четыре модуля оперативной памяти DDR3 объемом 4 Гб, работающий на частоте 1600 МГц.
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. CAS Latency (CL) 16; RAS to CAS Delay (tRCD) 18; Row Precharge Delay (tRP) 18. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.
16 Гб, SODIMM, DDR5, 4800 МГц (PC5 38400). Латентность: CL40. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: 2G x 8. Количество чипов памяти: 8. Количество контактов модуля: 262. Одноранговая (Single Rank).
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.
DDR5, 16 ГБx2 шт, 6000 МГц, 36-38-38-80.
Суммарный объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4. Пропускная способность: 32000 Мб/с. Тактовая частота: 4000 МГц. Форм-фактор RAM: DIMM. Радиатор. CAS Latency (CL): 18 тактов. Тайминги: 18.
DDR5, 32 ГБx1 шт, 5200 МГц, 40-40-40.
Тип памяти: DDR5. Форм-фактор: DIMM. Суммарный объем памяти: 32 ГБ. Тактовая частота: 5200 МГц. Профили Intel XMP: 5200 МГц (40-40-40). CAS Latency (CL): 40. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Радиатор. Подсветка RGB.
Двухканальный комплект. Объем: 16 Гб (2 х 8 Гб). Тактовая частота: 3200 МГц. Тайминги: 16 18 18 38. Напряжение питания: 1.35 В. Небуферизованная. NonECC. Поддержка Intel XMP 2.0. Число контактов модуля: 288.
DDR4, 16 ГБx1 шт., 3200 МГц, PC25600, тайминги: 22-22-22-52.
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 38. Row Precharge Delay (tRP): 38. Поддержка XMP: XMP 3.0, EXPO. Радиатор.
32 ГБ (2х16 ГБ), DIMM, DDR5, 5200 МГц (PC5 41600). Тайминги: 40.40.40.77. Напряжение питания: 1.25 В. Количество контактов модуля: 288. Динамическая многозонная RGB подсветка. Поддержка XMP 3.0. Алюминиевый радиатор.
DDR4. 8 ГБ. Частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. Напряжение питания 1.2 В.
Общий объем памяти: 16 Гб. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Латентность: CL16. Тайминги: 16-18-18-38. Напряжение питания: 1,35 В.