Автозаводская
Внутренние твердотельные накопители SSD
№: 776299
Твердотельный накопитель имеет объем 1Тб и выполнен в форм-факторе M.2. Данный накопитель разработан на основе технологии 3D NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Контроллер оптимизирован для скорос...
№: 811685
Объем 500 Гб. Форм-фактор 2.5". Последовательное чтение/запись до 560/530 MБ/с. Интерфейс SATA 6 Гбит/c. Память V-NAND 3bit MLC. MGX контроллер. Буферная память 512 МБ Low Power DDR4 SDRAM. TBW 300 Тб.
№: 827125
Емкость 1 ТБ. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3500/3000 MБ/с. TBW 600 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.
№: 391922
Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера п...
№: 391921
Твердотельный накопитель Kingston A400 значительно повышает скорость работы системы, обеспечивая более высокую скорость запуска, загрузки и передачи данных по сравнению с механическими жесткими дисками. Этот SSD создан на базе контроллера п...
№: 963456
Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 1 ТБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов): 320 ТБ.
№: 799189
Объем 1 Тб. Форм-фактор: 2.5 дюйма. Скорость последовательного чтения до 560 MБ/с, последовательной записи до 530 MБ/с. SATA 6 Гбит/c интерфейс, совместимый с SATA 3 Гбит/c и SATA 1,5 Гбит/c интерфейсами. Samsung M...
№: 947769
Внутренний. Емкость: 500 ГБ. Интерфейс: SATA III. Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с. Скорость последовательной записи: 510 МБ/с. Габариты (Д х Ш х В): 100.2×69.85×7 мм.
№: 963455
Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 500 ГБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов):160 ТБ.
№: 827124
Емкость 500 Б. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4. Память Samsung V-NAND 3-bit MLC. Контроллер Samsung Pablo Controller. Скорость чтения/записи до 3100/2600 MБ/с. TBW 300 Тб. MTBF 1.5 млн. часов.
№: 955701
SSD. Тип 2.5" SATA накопитель. Объем накопителя 256 ГБ. Структура памяти 3D NAND. Макс скорость чтения 540 Мбайт/сек. Макс скорость записи 460 Мбайт/сек. Максимальный ресурс записи (TBW) 80 ТБ. Ударостойкость ...
№: 776298
Client PCsClient PCs. Производительность 500 ГБ (1ГБ=1 миллиард IDEMA). Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c. Основная память Samsung V-NAND 3-bit MLC. TRIM. S.M.A.R.T. Размеры (ШxВxГ) 80,15 x 22,15 x 2,38 мм.
№: 635949
Накопитель использует новейшую технологию V-NAND и оптимизированную прошивку. Он максимально использует технологию NVMe. Накопители емкостью до 2TБ имеют рабочий ресурс по записи до 1200 TBW.
№: 935998
PCI-E 4.0 x4, чтение 5000 Мбайт/сек, запись 4400 Мбайт/сек, NVM Express.
№: 825321
Внутренний SSD, 2.5", 512 Гб, SATA-III, чтение: 560 Мб/сек, запись: 540 Мб/сек, TLC.
№: 504352
120Gb - AMD Radeon R5 R5SL120G - представляет собой новейшую модель твердотельного накопителя от всемирно известной компании, которая способствовала популяризации таких носителей. В ней реализован интерфейс SATA обеспечивается сверхвысокая скор...
№: 811683
Объем: 1000 Гб. Форм-фактор: 2,5″. Интерфейс: SATA 6 Гбит/cек. Флэш-память: Samsung V-NAND 3bit MLC. Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. AES 256-битное шифрование. Скорость последовательного чтения/записи: до 560/530 MБ/сек.