Внутренние твердотельные накопители SSD
Назначение: внутренний. Форм-фактор: M.2 2280. Объем памяти: 512 Гб. Тип флеш-памяти: 3D NAND. Скорость записи: 4500 Мб/с. Скорость чтения: 5000 Мб/с. Интерфейс: PCI-E 4.0×4. Время наработки на отказ: 2 млн. часов.
№: 954866
Назначение: внутренний. Форм-фактор: M.2 2280. Объем памяти: 1024 Гб. Тип флеш-памяти: 3D NAND. Скорость записи: 4500 Мб/с. Скорость чтения: 5000 Мб/с. Интерфейс: PCI-E 4.0×4. Время наработки на отказ: 2 млн. часов.
№: 956024
С радиатором. Ёмкость 2 Тб. Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c. Последовательное чтение до 7000 MБ/с; запись до 5100 MБ/с. Тип памяти Samsung V-NAND 3-bit MLC. Ресурс 1200 Тб. MTBF 1.5 млн. ч.
№: 1025598
Емкость 256 GB. Интерфейс PCIe 3.0 NVMe 1.4. Форм фактор M.2 2280. Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с. Максимальная скорость записи 2700 Мб/с. MTBF более 1.5 млн. часов.
№: 1009135
Назначение: внутренний. Форм-фактор: M.2. Размер M.2: 2280. Интерфейс: PCI-E 4.0×4. Поддержка NVMe. Объём накопителя: 2 Тб. Объём кэш памяти: 2048 Мб. Скорость чтения: 7450 МБ/сек. Скорость записи: 6900 МБ/сек.
№: 1020492
Форм-фактор M.2. Размер M.2 2280. Интерфейс PCI-E 4.0 x4. Поддержка NVMe 1.4. Объём 1000 Гб. Скорость чтения 7000 МБ/сек. Скорость записи 4700 МБ/сек. Ресурс перезаписи (TBW) 1000 Тб. Время наработки на отказ 1500000 ч.&
№: 1022443
Назначение: внутренний. Форм-фактор: 2.5″. Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 2000 Гб. Скорость чтения: 550 МБ/сек. Скорость записи: 500 МБ/сек.
№: 972122
Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: NVMe PCIe Gen 4.0×4. Емкость: 1000 ГБ. Контроллер: Phison E18. Тип флэш-памяти: 3D TLC NAND. Последовательное чтение: 7300 МБ/с. Последовательная запись: 6000 МБ/с.
№: 890778
Емкость 512 Гб. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0 NVMe M.2. Последовательное чтение 7000 МБ/с / запись 3900 МБ/с. Память NAND 3D TLC. TBW 400 Тб. MTBF 1.8 млн. часов. Низкопрофильный графеновый алюминиевый теплоотвод.
№: 912560
Ёмкость 1 Тб. Форм-фактор 2280 M.2. Интерфейс PCIe Gen4 x 4, NVMe 1.3. Скорость последовательного чтения до 5000 Мб/с / записи до 4800 Мб/с. TBW 800Tб. Графеновый радиатор. Рабочая температура 0~70°C.
№: 947755
240 Гб, 2.5" SATA Ⅲ. Тип памяти: 3D NAND Flash. Скорость чтения: 520 Мб/с. Скорость записи: 450 Мб/с. TBW: 120. Температура эксплуатации: 0℃..70℃. Размеры: 100 x 69.85 x 7 мм. Вес: 46 г.
№: 760524
Размеры 100*70*7 мм. Вес около 54 г. Объём 240 Гб. SATA 6Гб/с. Напряжение 5 В. NAND Flash. S.M.A.R.T. TRIP. Совместимость Windows/Mac/Linux.
№: 760529
Материал алюминий. Емкость 512 ГБ. Кэш-память 32 МБ. Nand Flash TLC. Скорость R/W 500 МБ/с 400 МБ/с. Форм-фактор SATA 6 ГБ/с, 2,5". Температура хранения -40.
№: 717483
Назначение: внутренний. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Объём накопителя: 512 Гб. Тип флэш-памяти: QLC. Контроллер: Phison E13T Series. Скорость чтения: 1700 Мб/сек. Скорость записи: 1200 Мб/сек. Ресурс перезаписи (TBW): 160 Тб.
№: 825775
Внутренний SSD, 2.5", 256 Гб, SATA-III, чтение: 560 Мб/сек, запись: 540 Мб/сек, TLC.
№: 617097
Твердотельный накопитель XPG SX6000 Pro PCIe Gen3x4 M.2 2280 обеспечивает запуск, загрузку и передачу данных с более высокой скоростью. Благодаря тому, что устройство поддерживает NVMe 1.3 и оснащено 3D NAND флэш-памятью, скорость его работы до 4 раз...
№: 809297
Внутренний. Объем накопителя: 240 ГБ. Физический интерфейс: SATA III. Структура памяти: 3D NAND. Максимальная скорость последовательной записи: 320 Мбайт/сек. Максимальная скорость последовательного чтения: 450 Мбайт/сек.