Автозаводская
Модули памяти
№: 863471
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.
№: 980974
№: 753683
16 Гб. 288-pin. Частота 2666. Латентность CL19. Форм-фактор DIMM. Тип поставки Ret.
№: 84263
Patriot Memory PC3-12800 SO-DIMM DDR3 1600MHz - 8Gb PSD38G1600L2S — это синхронная динамическая память. Модули DDR3 предлагают более высокую скорость, снижение задержек, более высокую пропускную способность данных и низкое энергопотребление по сравне...
№: 580513
Общий объем памяти: 16 Гб. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Латентность: CL16. Тайминги: 16-18-18-38. Напряжение питания: 1,35 В.
№: 908924
Тип: DDR5. Форм-фактор: DIMM. Объем памяти: 32 Гб (2х16 Гб). Тактовая частота: 5600 МГц. Профили Intel XMP: 5600 МГц (40-40-40-76). Тайминги: CAS Latency (CL): 40, RAS to CAS Delay (tRCD): 40, Row Precharge Delay (tRP): 40. Радиатор.
№: 853348
Объем одного модуля: 8 Гб. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Латентность: CL21. Напряжение питания: 1,2 В.
№: 1030136
DDR4, 16 ГБx1 шт., 3200 МГц, PC25600, тайминги: 22-22-22.
№: 1022019
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 16 Гб. Т/ч: 5200 МГц. Пропускная способность: 41600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Поддержка XMP: 3.0, EXPO. Радиатор. Подсветка.
№: 774688
8 Гб (1 х 8 ГБ). DDR4, DIMM, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22 22 22 52. Напряжение питания: 1.2В. Количество контактов модуля: 288. Одноранговая. Небуферизованная. nonECC.
№: 599890
Kingston DDR4 SO-DIMM 2666MHz PC21300 - 16Gb KVR26S19D8/16 - это модуль памяти гарант бесперебойной работы системы в режиме многозадачности. Представленная модель позволит вам одновременно запускать еще больше приложений и программ, включая наиболее ...
№: 872509
16 Гб (1 х 16 Гб), DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 18.22.22.42. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.
№: 818861
Тип памяти: DDR4. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8 Гб. Частота: 3200 МГц. Пропускная способность: PC25600. Тайминги: CAS Latency (CL): 11. Количество чипов модуля: 8. Напряжение питания: 1,2 В.
№: 1031019
Объём памяти: 16 Гб. Тип памяти: DDR4. Пропускная способность: 25600 Мб/с. CAS Latency (CL): 22. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Напряжение питания: 1,2 В.
№: 908060
32 Гб, SODIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22.22.22.52. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 260. Двухранговая (Dual rank). Небуферизованная. nonECC.
№: 1002259
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6600 МГц. Пропускная способность: 52800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 34. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Activate to Precharge Delay (tRAS): 105. XMP 3.0. ...
№: 874851