Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe NVMe 3.0×4. Объём: 256 ГБ. Скорость чтения: 3000 МБ/с. Скорость записи: 1300 МБ/с. Тип памяти: TLC. Габариты: 80×22×2,25 мм.

Назначение: внутренний. Форм-фактор: M.2. Размер M.2: 2280. Интерфейс: PCI-E 4.0×4. Поддержка NVMe: да, 2.0. Объём накопителя: 2 Тб. Скорость чтения: 7400 МБ/сек. Скорость записи: 6000 МБ/сек.

Объем накопителя 512 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCI-E 4.0 x4. Разъем M.2. Тип памяти NAND 3D. Максимальная скорость чтения 7200 МБ/с. Максимальная скорость записи 4400 МБ/с. Толщина товара 2.1 мм.

Объем 1024 Гб. Форм-фактор 2.5". Интерфейс SATA III. Скорость чтения до 530 МБ/с; записи до 495 МБ/с. Память 3D TLC. Контроллер Silicon Motion SM2259XT. MTBF 1.5 млн. часов. TBW 480 Тб. Толщина 7 мм.

PCI-E 4.0 x4, чтение: 4800 Мбайт/сек, запись: 4200 Мбайт/сек, 3 бит TLC, NVM Express.

Client PCsClient PCs. Производительность 500 ГБ (1ГБ=1 миллиард IDEMA). Форм-фактор M.2 (2280). Интерфейс PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c. Основная память Samsung V-NAND 3-bit MLC. TRIM. S.M.A.R.T. Размеры (ШxВxГ) 80,15 x 22,15 x 2,38 мм.

Внутренний. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E 4.0×4. Поддержка NVMe. Объём накопителя: 2000 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Объём кэш памяти: 2048 Мб, Low Power DDR4. Скорость чтения: 7450 МБ/сек. Скорость записи: 6900 МБ/сек.

Накопитель использует новейшую технологию V-NAND и оптимизированную прошивку. Он максимально использует технологию NVMe. Накопители емкостью до 2TБ имеют рабочий ресурс по записи до 1200 TBW.

Внутренний SSD, 2.5", 128 Гб, SATA-III. Скорость чтения 580 МБ/сек. Скорость записи 570 МБ/сек.

Внутренний. Объем накопителя: 256 Гб. Форм-фактор: 2.5″. Интерфейс: SATA III (6 Гбит/с), обратная совместимость с SATA II (3 Гбит/с) и SATA I (1.5 Гбит/с). Скорость последовательного чтения/записи: до 570/до 540 Мб/сек.

2.5" SATA накопитель. Объем  512 ГБ. Разъем подключения SATA. Количество бит на ячейку 3 бит TLC. Макс скорость  чтения 540 Мбайт/сек. Макс скорость  записи 460 Мбайт/сек. Макс ресурс записи 150 ТБ. Ударостойкость 1500 G. Размеры 70 х 100 х 7 мм, вес...

Объем накопителя 512 ГБ. Форм-фактор 2280. Максимальная скорость последовательного чтения 2400 Мбайт/сек. Максимальная скорость последовательной записи 1900 Мбайт/с. Максимальный ресурс записи (TBW) 698. Энергопотребление 3.15 Вт. Размеры 80 х 22 х 3...

Объём 1 ТБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe Gen3 x4. Совместимость с NVMe 1.3. Память 3D NAND. Скорость чтения 2100 Мбайт/с; записи 1700 Мбайт/с. TBW 350 Тб. MTBF 1.5 млн часов. Поддержка S.M.A.R.T., TRIM.

Назначение: внутренний. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Поддержка NVMe 1.3. Объём накопителя: 500 Гб. Контроллер: PHISON E13T. Скорость чтения: 2200 МБ/сек. Скорость записи: 1150 МБ/сек.

 SSD M.2 накопитель. Объем накопителя 512 Гб. Физический интерфейс  PCI-E 3.x x4. NVMe. Кол-во бит на ячейку  3 бит TLC. Макс скорость чтения 2000 Мбайт/сек. Макс  скорость записи 1600 Мбайт/сек. Макс ресурс записи 150 ТБ. DWPD 0.27. Размер 80 х 22 м

SSD. Тип 2.5" SATA накопитель. Объем накопителя  256 ГБ. Структура памяти 3D NAND. Макс скорость  чтения  540 Мбайт/сек. Макс скорость записи  460 Мбайт/сек. Максимальный ресурс записи (TBW)  80 ТБ. Ударостойкость  1500 G. Размер 70 х 100 х 7 мм

Форм-фактор: M.2 2280. Ёмкость: 512 ГБ. Тип ячеек памяти: 3D NAND. Интерфейс передачи данных: PCIe. Версия PCIe: Gen4×4. Скорость чтения (ATTO), до: 7400 МБ/с. Скорость записи (ATTO), до: 7000 МБ/с. Радиатор.