Автозаводская
Модули памяти
№: 863496
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 8. Частота 3200MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Single Rank (1R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
№: 699303
8 Гб. DIMM, DDR3, 1600 МГц (PC3 12800). Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 240.
№: 863483
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 32GB (2 планки по 16GB). Частота 3600MHz. Тайминги (CAS Latency) CL18. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Single Rank (1R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
№: 722536
16 Гб (1 х 16 Гб). DDR4, DIMM, 3200 МГц (PC4 25600). Латентность: CL16. Тайминги: 16 18 18 36. Напряжение питания: 1.35В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. nonECC. Unbuffered. Алюминиевый радиатор.
№: 948224
№: 774688
8 Гб (1 х 8 ГБ). DDR4, DIMM, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22 22 22 52. Напряжение питания: 1.2В. Количество контактов модуля: 288. Одноранговая. Небуферизованная. nonECC.
№: 863472
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.
№: 908924
Тип: DDR5. Форм-фактор: DIMM. Объем памяти: 32 Гб (2х16 Гб). Тактовая частота: 5600 МГц. Профили Intel XMP: 5600 МГц (40-40-40-76). Тайминги: CAS Latency (CL): 40, RAS to CAS Delay (tRCD): 40, Row Precharge Delay (tRP): 40. Радиатор.
№: 450962
Фирма Patriot зарекомендовала себя, как надёжная и востребованная торговая марка. Модель оперативной памяти Patriot DDR3 – лучший вариант для увеличения продуктивной работы вашего персонального компьютера. При желании всегда можно выбрать...
№: 883828
DDR4. DIMM. Ранговость одноранговая. Объем одного модуля памяти 16 ГБ. Количество модулей 1 шт. CAS Latency (CL) 16. RAS to CAS Delay (tRCD) 18. Row Precharge Delay (tRP) 18. Высота 41.24 мм. Напряжение питания 1.35 В.
№: 957261
№: 913468
Тип памяти DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Суммарный объем 16 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Наличие радиатора. Напряжение питания 1.35 В. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 20, Row Prech...
№: 768986
8 Гб (1х8 Гб). SODIMM, DDR3L, 1600 МГц (PC3 12800). Тайминги: 11 11 11. Напряжение питания: 1.35 В. 204 контакта.
№: 875897
№: 913464
Тип памяти DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Суммарный объем 8 ГБ. Тактовая частота 2666 МГц. Наличие радиатора. Напряжение питания 1.35 В. Тайминги: CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (t...
№: 943563
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR4. Объём памяти: 8 Гб. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 22. Напряжение питания: 1,2 В.
№: 600648
Оперативная память AMD Radeon R7 Performance Series [R748G2606U2S] 8 ГБ разработана для игровых компьютеров. Она выполнена с применением лучших элементов.