Модули памяти
№: 863481
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. CAS Latency (CL) 16; RAS to CAS Delay (tRCD) 18; Row Precharge Delay (tRP) 18. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.
№: 863471
DIMM, DDR-4. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 Мб/с. Напряжение питания 1.35 В. Поддержка XMP. Пассивная система охлаждения.
№: 980953
Тип памяти DDR3L. Форм-фактор памяти DIMM. Объем модуля памяти 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. CAS Latency (CL) 11. RAS to CAS Delay (tRCD) 11. Row Precharge Delay (tRP) 11. Высота 30 мм. Напряжение питания 1.35 В.
№: 1022013
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 38. Row Precharge Delay (tRP): 38. Поддержка XMP: XMP 3.0, EXPO. Радиатор.
№: 863496
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 8. Частота 3200MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Single Rank (1R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
№: 873145
№: 580513
Общий объем памяти: 16 Гб. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Латентность: CL16. Тайминги: 16-18-18-38. Напряжение питания: 1,35 В.
№: 1022019
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 16 Гб. Т/ч: 5200 МГц. Пропускная способность: 41600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Поддержка XMP: 3.0, EXPO. Радиатор. Подсветка.
№: 1024950
16 Гб, SODIMM, DDR5, 4800 МГц (PC5 38400). Латентность: CL40. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: 2G x 8. Количество чипов памяти: 8. Количество контактов модуля: 262. Одноранговая (Single Rank).
№: 1025111
DDR4, 16 ГБx1 шт., 3200 МГц, PC25600, тайминги: 22-22-22-52.
№: 503927
Фирма Patriot зарекомендовала себя, как надёжная и востребованная торговая марка. Модель оперативной памяти Patriot DDR4 – лучший вариант для увеличения продуктивной работы вашего персонального компьютера. При желании всегда можно выбрать несколько ...
№: 774688
8 Гб (1 х 8 ГБ). DDR4, DIMM, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22 22 22 52. Напряжение питания: 1.2В. Количество контактов модуля: 288. Одноранговая. Небуферизованная. nonECC.
№: 884047
8 Гб, DDR-4, 25600 Мб/с, 3200 МГц, PC25600, тайминги: 20-22-22, 1,2 В.
№: 1023733
Суммарный объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4. Пропускная способность: 32000 Мб/с. Тактовая частота: 4000 МГц. Форм-фактор RAM: DIMM. Радиатор. CAS Latency (CL): 18 тактов. Тайминги: 18.
№: 1025228
DDR5, 32 ГБx1 шт, 5200 МГц, 40-40-40.
№: 980976
№: 984036