Автозаводская
Модули памяти
№: 969252
DDR4, 8 ГБx2 шт, 4266 МГц, 19-26-26.
№: 971652
DDR5, 32 ГБx1, 4800 МГц, PC38400, тайминги: 40-40-40-70.
№: 971658
№: 971659
№: 971683
DDR4, 8 ГБx2 шт, 3200 МГц, 16-20-20.
№: 971684
DDR4, 8 ГБx2 шт, 3200 МГц, 16-20-20.
№: 971999
№: 975466
№: 921425
Объем одного модуля: 8 Гб. Общий объем памяти: 16 Гб. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM 288-контактный. Тактовая частота: 3200 МГц. Пропускная способность: 25600 Мб/с. Латентность: CL22. Напряжение питания: 1.2 В.
№: 921427
№: 921516
№: 931390
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR3. Объём памяти: 4 Гб. Тактовая частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 11, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 11, Activate to Precharge Delay (tRAS)...
№: 931402
Тип памяти DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Суммарный объем 16 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Наличие радиатора. Напряжение питания 1.35 В. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 20, Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Prec
№: 860153
DDR4, DIMM, 2 модуля объемом 16 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц, пропускная способность PC25600. CAS Latency (CL) 22; RAS to CAS Delay (tRCD) 22; Row Precharge Delay (tRP) 22; Activate to Precharge Delay (tRAS) 52. Высота 31 мм. Напряжение питания 1.2 ...
№: 863490
Тип памяти DDR4 (288pin) DIMM. Емкость 64GB (4 планки по 16GB). Частота 3200MHz. Тайминги (CAS Latency) CL16. Контроль четности Non-ECC. Буферизация Unbuffered. Ранки Dual Rank (2R). Архитектура x8. Напряжение 1.2V / 1.35V.
№: 872505
32 Гб (2 х 16 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Тайминги: 20.26.26.46. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.
№: 872507
16 Гб (1 х 16 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Тайминги: 20.26.26.46. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.