Модули памяти
№: 774684
16 Гб (1 х 16 Гб). SODIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22 22 22 52. Напряжение питания: 1.2 В. 260 контактов. Двухранговая. Небуферизованная. nonECC.
№: 735829
Форм-фактор: SO-DIMM. Тип памяти: DDR-4. Объём памяти: 4 Гб. Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/сек. Тайминги: CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19. Activate to Precharge Delay (tR...
№: 542485
Patriot Memory DDR4 SO-DIMM - представляет собой модуль оперативной памяти DDR4. Данная модель может похвастаться отличной пропускной способностью 19200 мб/сек при тактовой частоте 2400 МГц. Такие параметры позволят с комфортом работать в ресурсоемки...
№: 542474
Patriot Memory DDR4 SO-DIMM - представляет собой модуль оперативной памяти DDR4. Данная модель может похвастаться отличной пропускной способностью 19200 мб/сек при тактовой частоте 2400 МГц. Такие параметры позволят с комфортом работать в ресурсоемки...
16 Гб, DIMM, DDR5, 6000 МГц (PC5 48000). Тайминги: 40.40.40. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры модуля: 133.35 х 42.23 х 7.11±0.3 мм. Поддержка OnDie ECC. Поддержка XMP 3.0. RGB подсветка.
№: 1022009
DDR5, 32 ГБx2 шт, 5200 МГц, 40-40-40.
№: 959590
№: 958313
Профили Intel XMP: 3000 МГц (15-17-17), 3200 МГц (16-18-18). Наличие радиатора. RGB подсветка элементов платы. Высота 41,24 мм. Напряжение питания 1,35 В.
№: 921426
№: 945643
8 Гб, DDR4, DIMM, 2400 МГц (PC4 19200). Латентность: CL17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество чипов модуля: 8. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 134x31x3 мм. Небуферизованная. nonECC.
№: 969257
DDR4, 8 ГБx2 шт, 4600 МГц, 19-26-26.
№: 952801
№: 931404
Тип памяти DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Суммарный объем 16 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Наличие радиатора. Напряжение питания 1.35 В. Тайминги: CAS Latency (CL): 16, RAS to CAS Delay (tRCD): 20, Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Prec
№: 1002264
DDR5, 16 ГБx2 шт, 7800 МГц, 36-46-46-125.
№: 1002255
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 64 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 30. RAS to CAS Delay (tRCD): 40. Row Precharge Delay (tRP): 40. Activate to Precharge Delay (tRAS): 96. Поддержка ...
№: 983197