Автозаводская
Модули памяти
№: 1019330
16 Гб, DDR5, 8 ГБx2 шт., 5600 МГц, 36-38-38, радиатор, подсветка элементов платы: RGB.
№: 1019331
16 Гб, DDR5, 8 ГБx2 шт., 6000 МГц, 36-38-38, радиатор, подсветка RGB.
№: 1017203
16 Гб, DDR5, SODIMM. Частота: 4800 МГц (PC5 38400). Латентность: CL40. Тайминги: 40.39.39. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: X8. Ранки: 1R. Количество контактов модуля: 262. Функция OnDie ECC.
№: 1017205
32 Гб, DDR5, DIMM. Частота: 4800 МГц (PC5 38400). Латентность: CL40. Тайминги: 40.39.39. Напряжение питания: 1.1 В. Тип чипа: X8. Ранки: 2R. Количество контактов модуля: 288. Функция OnDie ECC.
№: 1017773
DDR5, 32 ГБx2 шт, 6000 МГц, 30-40-40.
№: 1014959
64 Гб (2х32 Гб), DDR5, DIMM. Поддержка двухканального режима. Профиль разгона XMP 3.0. Частота 6000 МГц. Тайминги 36.36.36.96. Напряжение питания 1.35 В. Количество контактов модуля 288. Высота модуля 33 мм. Алюминиевый радиатор.
№: 1014963
32 Гб (2х16 Гб), DDR5, DIMM. Поддержка двухканального режима. Профиль разгона XMP 3.0. Частота 6600 МГц. Тайминги 34.40.40.105. Напряжение питания 1.40 В. Количество контактов модуля 288. Высота модуля 33 мм. Алюминиевый радиатор.
№: 1016814
64 Гб (2х32 Гб), DDR5, DIMM. Поддержка двухканального режима. Профиль разгона XMP 3.0. Частота 5600 МГц. Тайминги 36.36.36.89. Напряжение питания 1.25 В. Количество контактов модуля 288. Высота модуля 33 мм. Алюминиевый радиатор.
№: 1002244
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 5600 МГц. Пропускная способность: 44800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 36. Row Precharge Delay (tRP): 36. Activate to Precharge Delay (tRAS): 89. Под...
№: 1002247
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 64 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 32, RAS to CAS Delay (tRCD): 38, Row Precharge Delay (tRP): 38, Activate to Precharge Delay (tRAS): 96. Поддержка ...
№: 1002249
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 5600 МГц. Пропускная способность: 44800 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 30. RAS to CAS Delay (tRCD): 36. Row Precharge Delay (tRP): 36. Activate to Precharge Delay (tRAS): 89. Поддержка ...
№: 1002256
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6400 МГц. Пропускная способность: 51200 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 32. RAS to CAS Delay (tRCD): 39. Row Precharge Delay (tRP): 39. Activate to Precharge Delay (tRAS): 102. XMP 3.0. ...
№: 1002261
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 7200 МГц. Пропускная способность: 57600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 34. RAS to CAS Delay (tRCD): 45. Row Precharge Delay (tRP): 45. Activate to Precharge Delay (tRAS): 115. XMP 3.0, ...
№: 1002262
Форм-фактор: DIMM. Тип: DDR5. Объём: 48 Гб. Тактовая частота: 7200 МГц. Пропускная способность: 57600 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 46. Row Precharge Delay (tRP): 46. Activate to Precharge Delay (tRAS): 115. XMP 3.0. ...
№: 1002263
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём памяти: 32 Гб. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 46. Row Precharge Delay (tRP): 46. Activate to Precharge Delay (tRAS): 121. Поддержка XMP 3.0. Поддержка EXPO. Радиатор. Подсветка.
№: 1002264
DDR5, 16 ГБx2 шт, 7800 МГц, 36-46-46-125.
№: 1023730
Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR5. Объём: 32 Гб. Тактовая частота: 6000 МГц. Пропускная способность: 48000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 36. RAS to CAS Delay (tRCD): 36. Row Precharge Delay (tRP): 36. Activate to Precharge Delay (tRAS): 96. XMP...