Автозаводская
Модули памяти
№: 1030795
Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ. Тип DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Тактовая частота 4133 МГц. CAS Latency (CL) 19. RAS to CAS Delay (tRCD) 23. Row Precharge Delay (tRP) 23. Напряжение питания 1.4 В. RGB подсветка.
№: 1032809
8 Гб (1х8 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 16.20.20. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 x 41,98 x 8,29 мм.
№: 1041338
Тип памяти DDR4.Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ.Объем одного модуля памяти 8 ГБ.Частота 3200 МГц.CAS Latency (CL) 22.Напряжение питания 1.2 В.
№: 1024703
16 Гб (2х8 Гб), DIMM, DDR4, 4800 МГц (PC4 38400). Поддержка XMP 2.0. Тайминги: 19.26.26. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 288. Размеры: 133,35 мм x 41,98 мм x 8,29 мм.
№: 1027778
32 Гб, 2 модуля DDR5, 64000 Мб/с, CL38-48-48-128, 1.45 В, XMP профиль, радиатор, подсветка.
№: 872506
16 Гб (2 х 8 Гб), DIMM, DDR4, 3600 МГц (PC4 28800). Тайминги: 20.26.26.46. Напряжение питания: 1.35 В. Количество контактов модуля: 288. Поддержка XMP 2.0. Алюминиевый радиатор. Небуферизованная. nonECC.
№: 883834
№: 808240
Форм-фактор памяти: DIMM. Общий объем 64 Гб. Тактовая частота 3200 МГц. CAS-латентность CL18. Схема таймингов памяти: 18-22-22-42. Рабочее напряжение 1.35 В. RGB подсветка.
№: 813779
8 Гб. DIMM, DDR3, 1333 МГц (PC3 10600). Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В. Количество контактов модуля: 240. Тип чипа: 512*8. Двухранговая (dual rank).
№: 821068
DIMM. DDR4. Объем 8 Гб. PC4-23400. Частота: 2933 МГц. Латентность: CL21. Rank: Single Rank.
№: 905064
16 Гб, DIMM, DDR4, 3200 МГц (PC4 25600). Тайминги: 22.22.22. Латентность: CL22. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 288. Двухранговая (Dual rank). Небуферизованная. nonECC.
№: 905068
16 Гб (2х8 Гб), SODIMM, DDR4, 2666 МГц (PC4 21300). Латентность CL15. Тайминги: 15.17.17. Напряжение питания: 1.2 В. Количество контактов модуля: 260. Высота: 30 мм. Небуферизованная. nonECC. Поддержка XMP 2.0.
№: 913464
Тип памяти DDR4. Форм-фактор памяти DIMM. Суммарный объем 8 ГБ. Тактовая частота 2666 МГц. Наличие радиатора. Напряжение питания 1.35 В. Тайминги: CAS Latency (CL): 19, RAS to CAS Delay (tRCD): 19, Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Prech
№: 934652
№: 945495
№: 948525
№: 971658